Superfilling und Direktmetallisierung: Schlötter auf der TPCA 2019

03.10.2019

Die TPCA Show in Taipeh zählt zu den wichtigsten Fachmessen für die Leiterplattenindustrie weltweit. Auf der TPCA 2019, die vom 23.-25.10.2019 in Taipeh stattfindet, kommen mehr als 400 Aussteller und über 4.000 Fachbesucher zusammen, um sich über aktuelle Trends zu informieren. Der Mobilfunkstandard 5G, autonomes Verfahren oder vernetzte Systeme stellen die Branche vor neue technologische Herausforderungen. Auch die Dr.-Ing. Max Schlötter GmbH & Co. KG ist mit Neuentwicklungen auf der TPCA vertreten: Zusammen mit AGES, ihrem langjährigen Vertriebs- und Entwicklungspartner in Taiwan, stellt Schlötter verschiedene neue Viafilling- und TH-Plating-Kupferelektrolyte und Direktmetallisierungsverfahren zur Herstellung von Leiterplatten aus dem aktuellen Produktprogramm vor.

 

SLOTOCOUP SF 1960: Superfilling für Automotive Boards

Die Automobilelektronik zählt mit jährlichen Wachstumsraten von rund 6% zu den am stärksten wachsenden Bereichen der Elektronikindustrie. Die zunehmende Verbreitung von softwareunterstützten Fahrassistenzsystemen sowie die wachsende Bedeutung des autonomen und vernetzten Fahrens sorgen für eine stabile Nachfrage. Das Kupferbad SLOTOCOUP SF 1960 wurde speziell für Automotive-Leiterplatten entwickelt und vereint Superfilling mit einer exzellenten Streufähigkeit und einer gleichmäßigen Metallabscheidung.  SLOTOCOUP SF 1960 wird mit unlöslichen MMO-Anoden in Standardvertikalanlagen betrieben und ermöglicht es, in einem Prozessschritt größere Sacklöcher (Blind Vias) vollständig zu füllen, ohne dass Einschlüsse (Voids) entstehen und gleichzeitig Durchgangsbohrungen mit einem Durchmesser von ca. 0,3 mm und einer Tiefe von 1,6 mm (= Aspektverhältnis 1:5) zu metallisieren.

 

Superfilling SLOTOCOUP SF 1960

Stromdichte

2A / dm2

Dauer

<60 min

Ø Microvia

130 μm

Dimpel

<10 μm.

 

Streufähigkeit SLOTOCOUP SF 1960

Ø Durchgangsbohrung

Tiefe Durchgangsbohrung

0,3 mm

1,6 mm

 

Das Kupferbad SLOTOCOUP SF 1960 wurde Anfang 2019 erfolgreich auf dem Markt eingeführt und wird mittlerweile bei mehreren Leiterplattenherstellern in Asien eingesetzt.

 

SLOTOCOUP SF 50: Komplettlösung für HDI-Leiterplatten

Die ständig fortschreitende Miniaturisierung und immer komplexere Schaltungen stellen hohe Anforderungen an das Layout-Design einer Leiterplatte. Durch die HDI-Technologie  (HDI: High Density Interconnect) kann ein kompaktes, zuverlässiges Leiterplattendesign erreicht werden, das höhere Packungsdichten ermöglicht. HDI-Leiterplatten bieten sehr feine Leiterbahnstrukturen (10 x 10 μm), kleinste Bohrungen sowie Blind und Buried Microvias. Mit dem Kupferbad SLOTOCOUP SF 50 von Schlötter lassen sich alle Fertigungsschritte beim Aufbau eines HDI-Multilayers abdecken, da dieser Elektrolyt sowohl zum Füllen von Durchgangslöchern (Through Holes) in den Kernlagen als auch zum BMV-Filling in den Innenlagen und Through Hole-Filling in Außenlagen eingesetzt werden kann.

 

Direktmetallisierung für das 5G-Zeitalter

Die höheren Frequenzen von 5G stellen für die Leiterplattenherstellung eine besondere Herausforderung dar. Die höheren Anforderungen an die Leistung von 5G erfordern große Sorgfalt bei der Auswahl von Materialien und Design von Leiterplatten, da die hochfrequenten Systeme mit Millimeterwellen sehr empflindlich gegenüber Oberflächenrauigkeiten von Kupfer, unterschiedlichen Schichtdicken und Wärmeableitung sind. Damit kommen auch neue Direktmetallisierungsverfaren zum Einsatz, die zum einen eine Leitschicht herstellen, zum anderen eine gute Haftung des Kupfers auf dem Substrat gewährleisten müssen. Schlötter hat drei Direktmetallisierungsverfahren, die sich für 5G-Materialien eignen, im Programm: SLOTOSIT PCB 3500, SLOTOGO PCB 3600 und SLOTOSIT PCB 3800. In seinem Vortrag, Next Generation Metallization Process for 5G PCB, stellt Dr. Stefan Henne (Schlötter) auf dem Technologie-Symposium der Alliance of Micro- and Nano-Metallization Technology am Freitag, den 25.10.2019, Schlötters neues Metallisierungsverfahren SLOTOSIT PCB 3800 vor, bei dem 5G-Substrate wie z.B. Polyimid in einer SO3-Gasphase aktiviert werden. Es können aber auch viele andere neue Substrate aktiviert werden, ohne die Oberfläche zu stark aufzurauen, was besonders wichtig ist, um Signalverluste zu minimieren. Erste Pilotstudien im Technikum zeigten vielversprechende Ergebnisse.